2015 年 5 月 28 日 ― 推動高能效創新的安森美半導體(ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號： ON )，推出一系列新的高性能器件進一步加強了低壓降(LDO)線性穩壓器產品陣容，以支持雙倍逆向工程數據速率(DDR)內存。NCP51200 、NCP51400 、 NCP51510 和NCP51199 采用內置功率MOSFET，針對在電腦、數據網絡、工業和手持消費市場等廣泛應用中的特定應用如SDRAMDIMM內存、伺服器、測繪路由器、智能手機、平板電腦平臺、機頂盒、智能電視、打印機和個人電腦/筆記本電腦主機板。還提供經AEC-Q100認證的版本用于汽車應用如嵌入式GPS定位系統、信息娛樂和無線網絡及藍牙通信。

這些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 標準，終端電壓(VTT)低至500毫伏(mV)。當與DDR4和LPDDR4使用時，每一種的主動源電流和汲電流能力達2安培(A)。此外，當使用DDR4 和三次元LPDDR4時，NCP51145可支持高達1.2 A。NCP/NCV51199可為DDR2和DDR3分別提供二次元2 A和1.5 A源汲電流，而NCP51200和NCP51510指定運行于3 A峰值電流并支持遠程感測。這些高度集成的DDR終端LDO的優勢還包括軟啟動、片上熱關斷和(對一些器件) 欠壓鎖定機制。每一款器件都有高速差分放大器，對線性電壓和負載電流瞬變提供超快響應。所有這些器件還都兼容DDR1 和DDR2 ，易于升級到更新的DDR內存。工作溫度范圍指定為-40 °C 至 +125 °C，可擴展至+150 °C用于汽車版本。

安森美半導體集成電路產品副總裁Simon Keeton說：“DDR內存廣泛擴展至許多非傳統產品如連接和物聯網(IoT)促使增強三坐標測量機的數據通信。我們現為整個DDR市場提供全面的變革器件，適用于新設計項目，以及直接替代現有器件；但具更高性能以支持將來內存升級。NCP51400和NCP51510是很先進的集成電路(IC)，能支持下一代DDR技術，而NCP51145結合卓越的性能及有吸引力的價格。此外，我們提供通過汽車認證(AEC-Q100)的版本，使最新的信息娛樂和安全系統能跟上新車客戶期望的數據要求。

　　擴展了的15個NCP51xxx LDO 方案提供3 種不同的封裝，包括8只引腳的SOIC-EP、8只引腳2x2 mm的DFN和10只引腳3x3 mm的DFN封裝。每3,000片批量的單價范圍從0.07美元至0.195美元。

關于安森美半導體

　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON )致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源影像測量儀和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用 的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。更多信息請訪問 。